Появилась новая энергоэффективная магнитная оперативная память
-
- 15.12.2020, 12:02 710
Исследователи из Университета науки и технологий Пхохана (POSTECH) и Сеульского национального Университет в Южной Корее продемонстрировал новый способ повышения энергоэффективности энергонезависимого устройства магнитной памяти под названием SOT-MRAM.
Это открытие, опубликованное в Advanced Materials, открывает новое окно захватывающих возможностей для будущих энергоэффективных магнитных запоминающих устройств на основе спинтроники.
В современных компьютерах для хранения информации используется оперативная память (RAM).
SOT-MRAM (магнитное ОЗУ с вращающимся моментом на орбите) является одним из ведущих кандидатов для технологий памяти следующего поколения, которые стремятся превзойти производительность различных существующих ОЗУ. SOT-MRAM может работать быстрее, чем самая быстрая из существующих RAM (SRAM), и сохранять информацию даже после отключения электропитания, тогда как все быстрые RAM, существующие сегодня, теряют информацию, как только блок питания отключается.
Однако нынешний уровень технологии SOT-MRAM не является удовлетворительным из-за высокого спроса на энергию; для записи информации требуется большой запас энергии (или большой ток). Снижение потребности в энергии и повышение энергоэффективности — нерешенная проблема для SOT-MRAM.